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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MMBT6429LT1 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 200mA 55V NPN

内部编号

277-MMBT6429LT1

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:168000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:123000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:12449
最小起订量:1
加拿大温哥华
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MMBT6429LT1产品详细规格

规格书 MMBT6429LT1 datasheet 规格书
MMBT6428LT1, 6429LT1
文档 Multiple Devices 21/Jan/2010
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装 10
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 600mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 500 @ 100µA, 5V
功率 - 最大 225mW
频率转换 700MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Cut Tape (CT)
集电极最大直流电流 0.2
最小直流电流增益 500@0.01mA@5V|500@0.1mA@5V|500@1m...
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 300
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 700
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 55
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 45
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 700MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
标准包装 10
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大 225mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 500 @ 100µA, 5V
其他名称 MMBT6429LT1OSCT
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.2 A
集电极 - 基极电压 55 V
集电极 - 发射极电压 45 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 700 MHz
功率耗散 0.3 W
安装 Surface Mount
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
元件数 1
直流电流增益(最小值) 500
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
频率 700 MHz
直流电流增益 500
集电极电流(DC ) 0.2 A
频率 - 跃迁 700MHz
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 600mV @ 5mA, 100mA
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 500 @ 100µA, 5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
功率 - 最大值 225mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45V

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